臺(tái)積電和三星3納米芯片的主要區(qū)別將在于工藝,。臺(tái)積電將繼續(xù)沿用過(guò)去十年半導(dǎo)體器件的主流結(jié)構(gòu)FinFET，不過(guò)這個(gè)結(jié)構(gòu)到了5納米節(jié)點(diǎn)之后就會(huì)出現(xiàn)越來(lái)越嚴(yán)重的漏電現(xiàn)象,。而允許業(yè)界繼續(xù)使用現(xiàn)有設(shè)備和技術(shù)成果的替代者就是三星將采用的GAA晶體管,，臺(tái)積電則將等到2納米節(jié)點(diǎn)再改用GAA，有傳這是基于成本與良率因素,，不過(guò)沒有得到過(guò)官方證實(shí),。無(wú)論如何，臺(tái)積電預(yù)計(jì) 3納米將在2022年成為最新,、最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn),。

臺(tái)積電如今已經(jīng)是全球最大的芯片代工廠，而今年也是臺(tái)積電營(yíng)收數(shù)字不斷創(chuàng)記錄的一年,。身處中美芯片戰(zhàn)的前沿,，臺(tái)積電在過(guò)去幾年內(nèi)在中美之間周旋，不過(guò),，中國(guó)市場(chǎng)依然是臺(tái)積電最大的市場(chǎng),。