散熱問題只是表象,，Soc工藝瓶頸才是關(guān)鍵。近年的移動(dòng)設(shè)備速度越來越快,，至少在跑分上是節(jié)節(jié)攀升,。但用戶感知度卻不高,，這其中的問題其實(shí)有多方面原因，最終都要落在Soc的工藝上,。高通最新一代的888處理器就有著嚴(yán)重的發(fā)熱問題,。

發(fā)熱的根源是較低的功耗比，為了提高性能最直接的辦法就是堆晶體管數(shù)量,，或者更宏觀的架構(gòu)層面堆核心,，雖然理論上性能得到提升，但是制作工藝不升級(jí)的情況下光堆晶體管只會(huì)增加功耗,，隨之而來的就是大量的發(fā)熱和能量損耗,。

緊接著，大量的功耗有兩個(gè)顯著的影響去,。其一是電池容量卻再也不夠了,。你會(huì)發(fā)現(xiàn)每一代手機(jī)升級(jí)電池都會(huì)做大，但實(shí)際續(xù)航一般都是一天,，背后的緣由一方面就是Soc功耗大,，當(dāng)然屏幕尺寸等也會(huì)影響續(xù)航。

其二,，發(fā)熱大,，不散熱的情況下Soc的效能會(huì)受到影響，只能降頻運(yùn)行,，也就是遇到了我們常說的功耗墻,，所謂提升的性能化為烏有。而便攜設(shè)備,，在硬件設(shè)計(jì)上往往操作空間不大,，很難為其設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)勤，而且在手機(jī)上往往是被動(dòng)散熱,，不像大型設(shè)備可以肆無忌憚使用風(fēng)冷甚至水冷,，以保持器核心的長(zhǎng)時(shí)間高效能運(yùn)行。

不過,，隨著代工廠的技術(shù)突破,，2nm已經(jīng)開始試產(chǎn)。蘋果的M系芯片直接把英特爾14nm++++工藝按在地上,，其實(shí)我們也能看到,。想要突破瓶頸，可能要從更底層的技術(shù)上下手,，制作工藝之外,，指令集設(shè)計(jì)，Soc架構(gòu)等,，都是亟待開發(fā)的突破點(diǎn),。